型号: | AT-41435 |
英文描述: | Up to 6 GHz Low Noise Silicon Bipolar Transistor(高达6 GHz低噪声硅双极型晶体管) |
中文描述: | 到6 GHz低噪声硅双极型晶体管(高达6 GHz的低噪声硅双极型晶体管) |
文件页数: | 5/6页 |
文件大小: | 44K |
代理商: | AT-41435 |
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PDF描述 |
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AT-41532-TR2 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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AT41435-5 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60MA I(C) | MICRO-X |
AT-41435G | 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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