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参数资料
型号： AT-41486-TR1
厂商： AGILENT TECHNOLOGIES INC
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装： PLASTIC, 86, 4 PIN
文件页数： 4/5页
文件大小： 71K
代理商： AT-41486-TR1
4
AT-41486 Typical Scattering Parameters, Common Emitter,
ZO = 50
, T
A =25
°C, V
CE =8 V, IC = 10 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
0.1
.74
-38
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-39.6
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0.5
.59
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-29
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-168
16.8
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.57
169
13.5
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69
-26.2
.049
49
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-32
2.0
.62
152
11.1
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56
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52
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-42
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.64
130
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-22.2
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52
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-50
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.68
122
6.3
2.06
26
-20.6
.093
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.37
-60
4.0
.71
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5.1
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.106
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-70
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.74
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4.0
1.59
7
-18.0
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48
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-84
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3.1
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.81
87
1.1
1.13
-22
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.170
34
.35
-131
AT-41486 Typical Scattering Parameters,
Common Emitter, ZO = 50
, T
A =25
°C, V
CE =8 V, IC = 25 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
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dB
Mag.
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Mag.
Ang.
0.1
.50
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1.21
-29
-14.5
.188
31
.33
-144
A model for this device is available in the DEVICE MODELS section.
AT-41486 Noise Parameters: VCE = 8 V, IC = 10 mA
Freq.
NFO
Γ
opt
GHz
dB
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Ang
RN/50
0.1
1.3
.12
3
0.17
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-99
0.40
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PDF描述
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参数描述
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AT-41486-TR2G 功能描述:射频双极小信号晶体管 Transistor Si RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel
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