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参数资料
| 型号： | AT24C512W-10SU-1.8 |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 17/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 512KBIT 400KHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 94 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 100kHz，400kHz |
| 接口： | I²C，2 线串口 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
AT24C512
8S2 – EIAJ SOIC
C
1
Top View
N
E
E1
L
?
End View
e
A
b
COMMON DIMENSIONS
(Unit of Measure = mm)
A1
SYMBOL
A
A1
b
C
MIN
1.70
0.05
0. 3 5
0.15
NOM
MAX
2.16
0.25
0.4 8
0. 3 5
NOTE
5
5
D
S ide View
D
E1
E
L
5.1 3
5.1 8
7.70
0.51
5. 3 5
5.40
8 .26
0. 8 5
2, 3
?
e
0°
1.27 B S C
8 °
4
Notes: 1.
2.
3 .
4.
5.
This drawing is for general information only; refer to EIAJ Drawing EDR-7 3 20 for additional information.
Mismatch of the upper and lower dies and resin burrs are not included.
It is recommended that upper and lower cavities be equal. If they are different, the larger dimension shall be regarded.
Determines the true geometric position.
Values b and C apply to pb/ S n solder plated terminal. The standard thickness of the solder layer shall be 0.010 +0.010/ ? 0.005 mm.
10/7/0 3
R
2 3 25 Orchard Parkway
S an Jose, CA 951 3 1
TITLE
8S2 , 8 -lead, 0.209" Body, Plastic S mall
Outline Package (EIAJ)
DRAWING NO.
8S 2
REV.
C
17
1116O–SEEPR–1/07
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| AT24C512W1-10SI-2.7 | 功能描述:IC EEPROM 512KBIT 1MHZ 20SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:378 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-CBGA 供应商设备封装:48-CBGA（7x7） 包装:托盘 |
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