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参数资料
| 型号： | AT25256T2-10TI-2.7 |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 17/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 256KBIT 3MHZ 20TSSOP |
| 标准包装： | 74 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 2.1MHz，3MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 20-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | AT25256T2-10TI2.7 AT25256T210TI2.7 |
AT25128/256
8S2 – EIAJ SOIC
C
1
Top View
N
E
E1
L
?
End View
e
A
b
COMMON DIMEN S ION S
(Unit of Me asu re = mm)
A1
S YMBOL
A
A1
b
C
MIN
1.70
0.05
0. 3 5
0.15
NOM
MAX
2.16
0.25
0.4 8
0. 3 5
NOTE
5
5
D
S ide View
D
E1
E
L
5.1 3
5.1 8
7.70
0.51
5. 3 5
5.40
8 .26
0. 8 5
2, 3
?
e
0°
1.27 B S C
8 °
4
Note s : 1.
2.
3 .
4.
5.
Thi s dr a wing i s for gener a l inform a tion only; refer to EIAJ Dr a wing EDR-7 3 20 for a ddition a l inform a tion.
Mi s m a tch of the u pper a nd lower die s a nd re s in bu rr s a re not incl u ded.
It i s recommended th a t u pper a nd lower c a vitie s b e e qua l. If they a re different, the l a rger dimen s ion s h a ll b e reg a rded.
Determine s the tr u e geometric po s ition.
V a l u e s b a nd C a pply to p b / S n s older pl a ted termin a l. The s t a nd a rd thickne ss of the s older l a yer s h a ll b e 0.010 +0.010/ ? 0.005 mm.
10/7/0 3
R
2 3 25 Orch a rd P a rkw a y
Sa n Jo s e, CA 951 3 1
TITLE
8S 2 , 8 -le a d, 0.209" Body, Pl as tic S m a ll
O u tline P a ck a ge (EIAJ)
DRAWING NO.
8S 2
REV.
C
17
0872O–SEEPR–03/05
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PDF描述 |
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