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参数资料
| 型号： | AT45DB011B-CI |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 13/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 1MBIT 20MHZ 9CBGA |
| 标准包装： | 490 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | DataFLASH |
| 存储容量： | 1M（512 页 x 264 字节） |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 9-TBGA |
| 供应商设备封装： | 9-CBGA（5x5） |
| 包装： | 托盘 |
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AT45DB011B
DC Characteristics
Symbol
I SB
Parameter
Standby Current
Condition
CS, RESET, WP = V IH , all inputs at
Min
Typ
2
Max
10
Units
μA
CMOS levels
I CC1(1)
I CC2
Active Current, Read Operation
Active Current, Program/Erase
f = 20 MHz; I OUT = 0 mA; V CC = 3.6V
V CC = 3.6V
4
10
10
25
mA
mA
Operation
I LI
I LO
V IL
V IH
V OL
V OH
Input Load Current
Output Leakage Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
V IN = CMOS levels
V I/O = CMOS levels
I OL = 1.6 mA; V CC = 2.7V
I OH = -100 μA
2.0
V CC - 0.2V
1
1
0.6
0.4
μA
μA
V
V
V
V
Note:
1. I cc1 during a buffer read is 20mA maximum.
AC Characteristics
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
f SCK
f CAR
t WH
t WL
t CS
t CSS
t CSH
t CSB
t SU
t H
t HO
t DIS
t V
SCK Frequency
SCK Frequency for Continuous Array Read
SCK High Time
SCK Low Time
Minimum CS High Time
CS Setup Time
CS Hold Time
CS High to RDY/BUSY Low
Data In Setup Time
Data In Hold Time
Output Hold Time
Output Disable Time
Output Valid
22
22
250
250
250
5
10
0
20
20
200
18
20
MHz
MHz
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t XFR
t EP
t P
t PE
t BE
Page to Buffer Transfer/Compare Time
Page Erase and Programming Time
Page Programming Time
Page Erase Time
Block Erase Time
120
10
7
6
7
200
20
15
10
15
μs
ms
ms
ms
ms
t RST
t REC
RESET Pulse Width
RESET Recovery Time
10
1
μs
μs
13
1984J–DFLASH–06/06
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A7SXB-5006M | CABLE D-SUB - AFM50B/AE50M/X |
| AT45DB011B-CC | IC FLASH 1MBIT 20MHZ 9CBGA |
| T525T336M008ATE080 | CAP TANT 33UF 8V 20% 1411 |
| VI-B3P-CY-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 50W |
| BAT54SW-7 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SC70-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT45DB011B-SC | 功能描述:闪存 1M SERIAL 2.7V - COM TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| AT45DB011B-SI | 功能描述:闪存 1M SERIAL 2.7V - IND TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| AT45DB011B-SU | 功能描述:闪存 1M 8 I/O SPI 264B 2.7V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| AT45DB011B-XC | 功能描述:闪存 1M SERIAL 2.7V - COM TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| AT45DB011B-XI | 功能描述:闪存 DATAFLASH 1M SERIAL 2.7V TSSOP IND TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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