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参数资料
| 型号： | AT45DB011B-CI |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 27/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 1MBIT 20MHZ 9CBGA |
| 标准包装： | 490 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | DataFLASH |
| 存储容量： | 1M（512 页 x 264 字节） |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 9-TBGA |
| 供应商设备封装： | 9-CBGA（5x5） |
| 包装： | 托盘 |
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AT45DB011B
Figure 2. Algorithm for Randomly Modifying Data
START
provide address of
page to modify
MAIN MEMORY PAGE
to BUFFER TRANSFER
(53H)
If planning to modify multiple
bytes currently stored within
a page of the Flash array
BUFFER WRITE
(84H)
MAIN MEMORY PAGE PROGRAM
(82H)
BUFFER to MAIN
MEMORY PAGE PROGRAM
(83H)
(2)
Auto Page Rewrite
(58H)
INCREMENT PAGE
(2)
ADDRESS POINTER
END
Notes:
1. To preserve data integrity, each page of a DataFlash sector must be updated/rewritten at least once within every 10,000
cumulative page erase/program operations within that sector.
2. A Page Address Pointer must be maintained to indicate which page is to be rewritten. The Auto Page Rewrite command
must use the address specified by the Page Address Pointer.
3. Other algorithms can be used to rewrite portions of the Flash array. Low-power applications may choose to wait until 10,000
cumulative page erase/program operations have accumulated before rewriting all pages of the sector. See application note
AN-4 (“Using Atmel’s Serial DataFlash”) for more details.
Sector Addressing
PA8
0
0
1
PA7
0
X
X
PA6
0
X
X
PA5
0
X
X
PA4
0
X
X
PA3
0
X
X
PA2 - PA0
X
X
X
Sector
0
1
2
27
1984J–DFLASH–06/06
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A7SXB-5006M | CABLE D-SUB - AFM50B/AE50M/X |
| AT45DB011B-CC | IC FLASH 1MBIT 20MHZ 9CBGA |
| T525T336M008ATE080 | CAP TANT 33UF 8V 20% 1411 |
| VI-B3P-CY-B1 | CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 50W |
| BAT54SW-7 | DIODE SCHOTTKY 30V 200MW SC70-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT45DB011B-SC | 功能描述:闪存 1M SERIAL 2.7V - COM TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| AT45DB011B-SI | 功能描述:闪存 1M SERIAL 2.7V - IND TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| AT45DB011B-SU | 功能描述:闪存 1M 8 I/O SPI 264B 2.7V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| AT45DB011B-XC | 功能描述:闪存 1M SERIAL 2.7V - COM TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| AT45DB011B-XI | 功能描述:闪存 DATAFLASH 1M SERIAL 2.7V TSSOP IND TEMP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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