参数资料
| 型号： | AT45DB041B-TC |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 28/35页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 4MBIT 20MHZ 28TSOP |
| 标准包装： | 234 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | DataFLASH |
| 存储容量： | 4M（2048 页 x 264 字节） |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-TSOP |
| 包装： | 托盘 |
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Figure 17-2. Algorithm for Randomly Modifying Data
START
provide address of
page to modify
MAIN MEMORY PAGE
TO BUFFER TRANSFER
(53H, 55H)
If planning to modify multiple
bytes currently stored within
a page of the Flash array
BUFFER WRITE
(84H, 87H)
MAIN MEMORY PAGE PROGRAM
THROUGH BUFFER
(82H, 85H)
BUFFER TO MAIN
MEMORY PAGE PROGRAM
(83H, 86H)
AUTO PAGE REWRITE
(2)
(58H, 59H)
INCREMENT PAGE
(2)
ADDRESS POINTER
END
Notes:
1. To preserve data integrity, each page of a DataFlash sector must be updated/rewritten at least once within every 10,000
cumulative page erase/program operations.
2. A Page Address Pointer must be maintained to indicate which page is to be rewritten. The Auto Page Rewrite command
must use the address specified by the Page Address Pointer.
3. Other algorithms can be used to rewrite portions of the Flash array. Low-power applications may choose to wait until 10,000
cumulative page erase/program operations have accumulated before rewriting all pages of the sector. See application note
AN-4 (“Using Atmel’s Serial DataFlash”) for more details.
Table 17-1.
Sector Addressing
PA10
0
0
0
0
1
1
PA9
0
0
0
1
0
1
PA8
0
0
1
X
X
X
PA7
0
X
X
X
X
X
PA6
0
X
X
X
X
X
PA5
0
X
X
X
X
X
PA4
0
X
X
X
X
X
PA3
0
X
X
X
X
X
PA2 - PA0
X
X
X
X
X
X
Sector
0
1
2
3
4
5
28
AT45DB041B
3443D–DFLSH–2/08
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| AT45DB041-CC | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:4-Megabit 2.7-volt Only Serial DataFlash |
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