参数资料
型号: AT45DB041B-TC
厂商: Atmel
文件页数: 3/35页
文件大小: 0K
描述: IC FLASH 4MBIT 20MHZ 28TSOP
标准包装: 234
格式 - 存储器: 闪存
存储器类型: DataFLASH
存储容量: 4M(2048 页 x 264 字节)
速度: 20MHz
接口: SPI 3 线串行
电源电压: 2.7 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 28-TSSOP(0.465",11.8mm 宽)
供应商设备封装: 28-TSOP
包装: 托盘
AT45DB041B
3. Block Diagram
WP
PAGE (264 BYTES)
FLASH MEMORY ARRAY
SCK
CS
RESET
VCC
GND
BUFFER 1 (264 BYTES)
I/O INTERFACE
BUFFER 2 (264 BYTES)
RDY/BUSY
SI
SO
4. Memory Array
To provide optimal flexibility, the memory array of the AT45DB041B is divided into three levels of
granularity comprising of sectors, blocks, and pages. The Memory Architecture Diagram illus-
trates the breakdown of each level and details the number of pages per sector and block. All
program operations to the DataFlash occur on a page-by-page basis; however, the optional
erase operations can be performed at the block or page level.
Figure 4-1.
Memory Architecture Diagram
SECTOR ARCHITECTURE
BLOCK ARCHITECTURE
PAGE ARCHITECTURE
SECTOR 0 = 8 Pages
2112 bytes (2K + 64)
SECTOR 0
BLOCK 0
BLOCK 1
8 Pages
PAGE 0
PAGE 1
SECTOR 1 = 248 Pages
65,472 bytes (62K + 1984)
SECTOR 2 = 256 Pages
BLOCK 2
PAGE 6
67,584 bytes (64K + 2K)
SECTOR 3 = 512 Pages
135,168 bytes (128K + 4K)
SECTOR 4 = 512 Pages
135,168 bytes (128K + 4K)
BLOCK 30
BLOCK 31
BLOCK 32
BLOCK 33
BLOCK 62
BLOCK 63
BLOCK 64
BLOCK 65
PAGE 7
PAGE 8
PAGE 9
PAGE 14
PAGE 15
PAGE 16
PAGE 17
PAGE 18
SECTOR 5 = 512 Pages
135,168 bytes (128K + 4K)
BLOCK 254
BLOCK 255
Block = 2112 bytes
(2K + 64)
PAGE 2045
PAGE 2046
PAGE 2047
Page = 264 bytes
(256 + 8)
3
3443D–DFLSH–2/08
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AT45DB041-CC 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:4-Megabit 2.7-volt Only Serial DataFlash