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参数资料
| 型号： | AT45DB642-TC |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 14/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 64MBIT 20MHZ 40TSOP |
| 标准包装： | 120 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | DataFLASH |
| 存储容量： | 64M（8192 页 x 1056 字节） |
| 速度： | 20MHz 串行/5MHz 并行 |
| 接口： | 并行/串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 40-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 40-TSOP |
| 包装： | 托盘 |
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Absolute Maximum Ratings*
Temperature under Bias ................................ -55 ° C to +125 ° C
Storage Temperature ..................................... -65 ° C to +150 ° C
All Input Voltages
(including NC Pins)
with Respect to Ground ...................................-0.6V to +6.25V
All Output Voltages
*NOTICE:
Stresses beyond those listed under “ Absolute
Maximum Ratings ” may cause permanent dam-
age to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any
other conditions beyond those indicated in the
operational sections of this specification is not
implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect
device reliability.
with Respect to Ground .............................-0.6V to V CC + 0.6V
DC and AC Operating Range
AT45DB642
Operating Temperature (Case)
Com.
Ind.
0 ° C to 70 ° C
-40 ° C to 85 ° C
V CC Power Supply
(1)
2.7V to 3.6V
Note:
1. After power is applied and V CC is at the minimum specified datasheet value, the system should wait 20 ms before an opera-
tional mode is started.
DC Characteristics
Symbol
I SB
I CC1(1)
I CC2(2)
I CC3
I CC4
I CC5
I CC6
I LI
I LO
Parameter
Standby Current
Active Current, Read
Operation, Serial Interface
Active Current, Read
Operation, Parallel Interface
Active Current, Program
Operation, Page Program
Active Current, Program
Operation, Fast Page Program
Active Current, Erase
Operation, Page
Active Current, Erase
Operation, Block
Input Load Current
Output Leakage Current
Condition
CS, RESET, WP = V IH , all
inputs at CMOS levels
f = 20 MHz; I OUT = 0 mA;
V CC = 3.6V
f = 5 MHz; I OUT = 0 mA;
V CC = 3.6V
V CC = 3.6V
V CC = 3.6V
V CC = 3.6V
V CC = 3.6V
V IN = CMOS levels
V I/O = CMOS levels
Min
Typ
2
4
8
20
30
20
20
Max
10
10
15
35
50
35
35
1
1
Units
μA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
μA
V IL
V IH
Input Low Voltage
Input High Voltage
2.0
0.6
V
V
V OL
V OH
Output Low Voltage
Output High Voltage
I OL = 1.6 mA; V CC = 2.7V
I OH = -100 μA
V CC - 0.2V
0.4
V
V
Notes:
14
1. I CC1 during a buffer read is 20 mA maximum.
2. I CC2 during a buffer read is 25 mA maximum.
AT45DB642
1638F – DFLSH – 09/02
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