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参数资料
| 型号： | AT49SN6416T |
| 厂商： | Atmel Corp. |
| 英文描述： | 64-megabit (4M x 16) Burst/Page Mode 1.8-volt Flash Memory |
| 中文描述： | 64兆位（4米× 16）突发/页模式1.8伏的快闪记忆体 |
| 文件页数： | 29/42页 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | AT49SN6416T |
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29
3464C–FLASH–2/05
AT49SN6416(T)
19. AVD Pulsed Asynchronous Read Cycle Waveform
(1)(2)
Notes:
1. After the high-to-low transition on AVD, AVD may remain low as long as the address is stable.
2. CLK may be static high or static low.
20. Asynchronous Read Cycle Waveform
(1)(2)(3)(4)
Notes:
1. CE may be delayed up to t
ACC
- t
CE
after the address transition without impact on t
ACC
.
2. OE may be delayed up to t
CE
- t
OE
after the falling edge of CE without impact on t
CE
or by t
ACC
- t
OE
after an address change
without impact on t
ACC
.
3. t
DF
is specified from OE or CE, whichever occurs first (CL = 5 pF).
4. AVD and CLK should be tied low.
18. AC Asynchronous Read Timing Characteristics
Symbol
Parameter
Min
Max
Units
t
ACC1
Access, AVD To Data Valid
70
ns
t
ACC2
Access, Address to Data Valid
70
ns
t
CE
Access, CE to Data Valid
70
ns
t
OE
OE to Data Valid
20
ns
t
AHAV
Address Hold from AVD
9
ns
t
AVLP
AVD Low Pulse Width
10
ns
t
AVHP
AVD High Pulse Width
10
ns
t
AAV
Address Valid to AVD
10
ns
t
DF
CE, OE High to Data Float
25
ns
t
OH
Output Hold from OE, CE or Address, Whichever Occurred First
0
ns
t
RO
RESET to Output Delay
150
ns
tCE
tACC2
tDF
tDF
tAHAV
DATA VALID
CE
I/O0-I/O15
A2 -A21
tAAV
tAVLP
tACC1
AVD
OE
tOE
tAVHP
RESET
tRO
(1)
tACC2
tAHAV
A0 -A1
tAAV
OUTPUT
VALID
I/O0 - I/O15
HIGH Z
RESET
OE
t
OE
t
CE
ADDRESS VALID
t
DF
t
OH
t
ACC2
t
RO
CE
A0 - A21
t
RC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| AT49SV163DT-80TU | 功能描述:闪存 Parallel 闪存 1.8V 80NS, GR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| AT49SV322A-80CU | 制造商:Atmel Corporation 功能描述:Flash Parallel 1.8V 32Mbit 4M/2M x 8bit/16bit 80ns 48-Pin CBGA |
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