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参数资料
| 型号： | ATF-33143-TR2 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | X BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 封装： | PLASTIC, SC-70, 4 PIN |
| 文件页数： | 9/18页 |
| 文件大小： | 154K |
| 代理商： | ATF-33143-TR2 |
17
Device Orientation
USER
FEED
DIRECTION
COVER TAPE
CARRIER
TAPE
REEL
1.30
0.051
0.60
0.024
0.9
0.035
Dimensions in
mm
inches
1.15
0.045
2.00
0.079
1.00
0.039
Recommended PCB Pad Layout
for Agilent's SC70 4L/SOT-343
Products
END VIEW
8 mm
4 mm
TOP VIEW
3Px
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATF-33143-BLK | X BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-33143-TR1 | X BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-50189 | 0 MHz - 2400 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| ATS535SSB | PROXIMITY SENSOR-HALL EFFECT, 65-95mA, ROUND, THROUGH HOLE MOUNT |
| ATS535JSB | PROXIMITY SENSOR-HALL EFFECT, 65-95mA, ROUND, THROUGH HOLE MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATF-33143-TR2G | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Low Noise RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| ATF331M4 | 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Agilent ATF-331M4 Low Noise Pseudomorphic HEMT in a Miniature Leadless Package |
| ATF-331M4 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHEMT Low Noise +31 dBm OIP3 in MiniPak |
| ATF-331M4-BLK | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Low Noise RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| ATF-331M4-TR1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Low Noise RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
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