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参数资料
| 型号： | ATMEGA128A-MNR |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 205/386页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU AVR 128K FLASH 64VQFN |
| 产品培训模块： | megaAVR Introduction |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | AVR® ATmega |
| 核心处理器： | AVR |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 16MHz |
| 连通性： | EBI/EMI，I²C，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 53 |
| 程序存储器容量： | 128KB（64K x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 4K x 8 |
| RAM 容量： | 4K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 8x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 64-VFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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283
8151H–AVR–02/11
ATmega128A
25.8
Self-Programming the Flash
The program memory is updated in a page by page fashion. Before programming a page with
the data stored in the temporary page buffer, the page must be erased. The temporary page buf-
fer is filled one word at a time using SPM and the buffer can be filled either before the page
erase command or between a page erase and a page write operation:
Alternative 1, fill the buffer before a page erase
Fill temporary page buffer
Perform a page erase
Perform a page write
Alternative 2, fill the buffer after page erase
Perform a page erase
Fill temporary page buffer
Perform a page write
If only a part of the page needs to be changed, the rest of the page must be stored (for example
in the temporary page buffer) before the erase, and then be rewritten. When using alternative 1,
the Boot Loader provides an effective Read-Modify-Write feature which allows the user software
to first read the page, do the necessary changes, and then write back the modified data. If alter-
native 2 is used, it is not possible to read the old data while loading since the page is already
erased. The temporary page buffer can be accessed in a random sequence. It is essential that
the page address used in both the page erase and page write operation is addressing the same
page. See “Simple Assembly Code Example for a Boot Loader” on page 286 for an assembly
code example.
25.8.1
Performing Page Erase by SPM
To execute page erase, set up the address in the Z-pointer and RAMPZ, write “X0000011” to
SPMCSR and execute SPM within four clock cycles after writing SPMCSR. The data in R1 and
R0 is ignored. The page address must be written to PCPAGE in the Z-register. Other bits in the
Z-pointer must be written zero during this operation.
Page Erase to the RWW section: The NRWW section can be read during the page erase.
Page Erase to the NRWW section: The CPU is halted during the operation.
Note:
If an interrupt occurs in the timed sequence the four cycle access cannot be guaranteed. In order
to ensure atomic operation disable interrupts before writing to SPMCSR.
25.8.2
Filling the Temporary Buffer (Page Loading)
To write an instruction word, set up the address in the Z-pointer and data in R1:R0, write
“00000001” to SPMCSR and execute SPM within four clock cycles after writing SPMCSR. The
content of PCWORD in the Z-register is used to address the data in the temporary buffer. The
temporary buffer will auto-erase after a page write operation or by writing the RWWSRE bit in
SPMCSR. It is also erased after a System Reset. Note that it is not possible to write more than
one time to each address without erasing the temporary buffer.
Note:
If the EEPROM is written in the middle of an SPM Page Load operation, all data loaded will be
lost.
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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| ATMEGA128A-MUR | 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 128K FLSH-16MHz IND TEMP 5V RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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