参数资料
型号: ATP101-TL-H
厂商: ON Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 25A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 30 毫欧 @ 13A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 18.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 875pF @ 10V
功率 - 最大: 30W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: ATPAK(2 引线 + 接片)
供应商设备封装: ATPAK
包装: 带卷 (TR)
ATP101
.5
--25
--20
Tc=25°C
ID -- VDS
V
--4
--4.0V
--30
--25
VDS= --10V
Single pulse
ID -- VGS
--20
--15
VGS= --3.5V
--15
--10
--10
--5
--5
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
--5.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
80
70
60
RDS(on) -- VGS
IT15312
Tc=25 ° C
Single pulse
80
70
60
RDS(on) -- Tc
IT15313
Single pulse
= --
4.5V
= --13
V, I D
V GS=
50
40
30
ID= --7A
--13A
50
40
30
20
= --
VGS
--10
, ID
7A
A
20
10
10
--1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10 --11 --12 --13 --14 --15 --16
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
5
3
| y fs | -- ID
IT15314
VDS= --10V
7
5
3
2
VGS=0V
Single pulse
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT15315
° C
5 °
° C
2
10
7
5
Tc
=
--2
C
75
25
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
3
2
1.0
7
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
5
--0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
5
7
--0.001
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
3
VDD= --15V
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT15316
3
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT15317
f=1MHz
2
VGS= --10V
2
100
7
5
3
td(off)
tf
tr
1000
7
5
3
Ciss
2
10
7
td(on)
2
100
Coss
Crss
5
--0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
5
7
7
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain Current, ID -- A
IT15318
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15319
No. A1646-3/7
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PDF描述
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