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参数资料
| 型号： | ATP104-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK |
| 产品目录绘图： | ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.4 毫欧 @ 38A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 76nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3950pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1536 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1074-6 |
Ordering number : ENA1406A
ATP104
P-Channel Power MOSFET
–30V, –75A, 8.4m Ω , Single ATPAK
Features
http://onsemi.com
?
?
?
Low ON-resistance
Slim package
Halogen free compliance
?
?
?
Large current
4.5V drive
Protection diode in
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
--30
±20
--75
Unit
V
V
A
Drain Current (PW ≤ 10 μ s)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Avalanche Energy (Single Pulse) *1
Avalanche Current *2
IDP
PD
Tch
Tstg
EAS
IAV
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
Tc=25 ° C
--225
60
150
--55 to +150
130
38
A
W
°C
°C
mJ
A
Note : * 1 VDD=15V, L=100 μ H, IAV=38A
* 2 L ≤ 100 μ H, Single pulse
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7057-001
ATP104-TL-H
Product & Package Information
? Package : ATPAK
? JEITA, JEDEC : -
? Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
6.5
1.5
4.6
Packing Type: TL
Marking
2.6
4
0.4
0.4
ATP104
LOT No.
TL
Electrical Connection
4,2
1
2
3
0.55
0.8
0.6
0.4
1 : Gate
2.3
2.3
2 : Drain
1
3 : Source
4 : Drain
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
ATPAK
3
61312 TKIM/20409PA MSIM TC-00001830 No. A1406-1/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATP106-TL-H | MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK |
| ATP107-TL-H | MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK |
| ATP108-TL-H | MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK |
| ATP112-TL-H | MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK |
| ATP114-TL-H | MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATP104-TL-HX | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Ta） 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:76nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3950pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:60W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.4 毫欧 @ 38A，10V 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:ATPAK 封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片） 标准包装:3,000 |
| ATP106 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP106_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP106-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ATP107 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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