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参数资料
| 型号： | ATP106-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK |
| 产品目录绘图： | ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 15A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1380pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1536 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1075-6 |
Ordering number : ENA1597A
ATP106
P-Channel Power MOSFET
–40V, –30A, 25m Ω , Single ATPAK
Features
http://onsemi.com
?
?
?
Low ON-resistance
Slim package
Halogen free compliance
?
?
?
Large current
4.5V drive
Protection diode in
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
--40
±20
--30
Unit
V
V
A
Drain Current (PW ≤ 10 μ s)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Avalanche Energy (Single Pulse) *1
Avalanche Current *2
IDP
PD
Tch
Tstg
EAS
IAV
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
Tc=25 ° C
--90
40
150
--55 to +150
30
--15
A
W
°C
°C
mJ
A
Note : * 1 VDD=--10V, L=200 μ H, IAV=--15A
* 2 L ≤ 200 μ H, Single pulse
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7057-001
Product & Package Information
? Package : ATPAK
? JEITA, JEDEC : -
? Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
6.5
1.5
4.6
ATP106-TL-H
Packing Type: TL
Marking
2.6
4
0.4
0.4
ATP106
LOT No.
TL
Electrical Connection
4,2
1
2
3
0.55
0.8
0.6
0.4
1 : Gate
2.3
2.3
2 : Drain
1
3 : Source
4 : Drain
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
ATPAK
3
61312 TKIM/N0409PA TKIM TC-00002145 No. A1597-1/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATP107-TL-H | MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK |
| ATP108-TL-H | MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK |
| ATP112-TL-H | MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK |
| ATP114-TL-H | MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK |
| ATP201-TL-H | MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATP107 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP107_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP107-TL-H | 功能描述:MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| ATP108 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP108_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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