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参数资料
| 型号： | ATP203-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 75A ATPAK |
| 产品目录绘图： | ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.2 毫欧 @ 38A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 44nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2750pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1536 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1079-6 |
ATP203
1m
1
10 0 s
0m
0 μ 10 μ
10
9
8
7
VDS=15V
ID=75A
VGS -- Qg
5
3
2
100
7
5
3
IDP=225A
ID=75A
ASO
s
m
s
PW ≤ 10 μ s
10
s
s
6
2
5
4
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
Operation in this area
is limited by RDS(on).
Tc=25 ° C
Single pulse
0.1
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
3
2
0.1
2 3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
7
60
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Tc
IT14008
120
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
EAS -- Ta
IT14009
50
40
30
20
10
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Case Temperature, Tc -- ° C
IT14010
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT14011
No. A1318-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATP204-TL-H | MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK |
| ATP206-TL-H | MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK |
| ATP207-TL-H | MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK |
| ATP208-TL-H | MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK |
| ATP212-TL-H | MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATP204 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP204_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP204SM | 功能描述:CRYSTAL 20.480 MHZ 20PF SMD RoHS:否 类别:晶体和振荡器 >> 晶体 系列:ATP-SM 标准包装:1 系列:ABLS2 类型:MHz 晶体 频率:3.579545MHz 频率稳定性:±30ppm 频率公差:±30ppm 负载电容:18pF ESR（等效串联电阻）:180 欧姆 工作模式:基谐 工作温度:-40°C ~ 85°C 额定值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:HC49/US 尺寸/尺寸:0.449" L x 0.185" W（11.40mm x 4.70mm） 高度:0.130"（3.30mm） 包装:剪切带 (CT) 产品目录页面:1683 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:535-9855-1 |
| ATP204-TL-H | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| ATP206 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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