参数资料
型号: ATP207-TL-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK
产品目录绘图: ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 65A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9.1 毫欧 @ 33A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2710pF @ 20V
功率 - 最大: 50W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: ATPAK(2 引线 + 接片)
供应商设备封装: ATPAK
包装: 标准包装
产品目录页面: 1536 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 869-1082-6
ATP207
100
90
80
ID -- VDS
4.5V
100
90
80
VDS=10V
Single pulse
ID -- VGS
70
60
70
60
50
40
30
20
10
4.0V
VGS=3.5V
Tc=25 ° C
50
40
30
20
10
0
0
0.5
1.0
Single pulse
1.5
2.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
25
RDS(on) -- VGS
IT14023
Tc=25 ° C
25
RDS(on) -- Tc
IT14024
Single pulse
Single pulse
20
ID=17A
33A
20
=17
=4.5
=33A
=10.0
15
10
5
15
10
5
VGS
VGS
V, I D
V, I D
A
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
25 °
5 ° C
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
| y fs | -- ID
C
--2
Tc=
75 ° C
IT14025
VDS=0V
Single pulse
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
VGS=0V
Single pulse
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT14026
3
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1000
7
5
VDD=20V
VGS=10V
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT14027
7
5
3
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
IT14028
f=1MHz
3
td(off)
2
2
1000
100
7
tf
7
5
5
3
tr
td(on)
3
2
Coss
Crss
2
100
10
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
7
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Drain Current, ID -- A
IT14029
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14030
No. A1319-3/7
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