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参数资料
| 型号： | ATP212-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK |
| 产品目录绘图： | ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 18A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1820pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1536 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1084-6 |
ATP212
Taping Speci ? cation
ATP212-TL-H
No. A1507-5/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATP213-TL-H | MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK |
| ATP214-TL-H | MOSFET N-CH 60V 75A ATPAK |
| ATP216-TL-H | MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK |
| ATP218-TL-H | MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK |
| ATP301-TL-H | MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATP213 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP213_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP213-TL-H | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A ATPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| ATP214 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP214_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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