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参数资料
| 型号： | ATP214-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 75A ATPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.1 毫欧 @ 38A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 96nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4850pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 60W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ATP214
3.5
75
70
65
ID -- VDS
V
Tc=25°C
100
90
VDS=10V
ID -- VGS
60
55
50
45
40
35
80
70
60
50
30
25
20
15
10
5
3.0V
VGS=2.5V
40
30
20
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
20
18
16
RDS(on) -- VGS
ID=10A
IT15694
Tc=25 ° C
Single pulse
20
18
16
RDS(on) -- Tc
IT15695
Single pulse
=10
V, I D
=4
V GS
=19
.5V
=38
S=
V, I D
.0
=10
14
12
10
8
6
19 A
38A
14
12
10
8
6
4
.0
4
VG
VGS
, ID
A
A
A
4
2
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15 16
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
° C
5 ° C
--2
Tc
75 °
5
5
5
3
2
100
7
5
3
2
10
7
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
VDS=10V
Single pulse
25
=
C
IT15696
3
2
100
7
3
2
10
7
3
2
1.0
7
3
2
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT15697
VGS=0V
Single pulse
5
5
5
3
2
1.0
7
5
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
0.1
7
3
2
0.01
7
3
2
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1000
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
IT15698
VDD=30V
VGS=10V
10000
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
IT15699
f=1MHz
3
3
2
tf
2
100
7
5
3
tr
td(on)
1000
7
5
3
2
Coss
Crss
2
100
10
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
7
0
10
20
30
40
50
60
Drain Current, ID -- A
IT15700
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15701
No. A1712-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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