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参数资料
| 型号： | ATP216-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 18A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2700pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ATP216
mm
Outline Drawing
ATP216-TL-H
Mass (g) Unit
0.266
* For reference
Land Pattern Example
6.5
1.5
Unit: mm
2.3
2.3
No.8985-6/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATP218-TL-H | MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK |
| ATP301-TL-H | MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK |
| ATP302-TL-H | MOSFET N-CH 60V 70A ATPAK |
| ATP404-TL-H | MOSFET N-CH 60V 95A ATPAK |
| ATP405-TL-H | MOSFET N-CH 100V 40A ATPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATP218 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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| ATP218-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ATP22 | 制造商:AMERICAN DJ 功能描述:STACKABLE EQUIPMENT CASE 22 X 12 X 15 INCH |
| ATP-22 | 制造商:American DJ 功能描述:Arriba Cases Stacking Equipment Padded Bag - 22'' x 12'' x 15'' |
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