参数资料
| 型号： | ATTINY2313A-MMHR |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 14/172页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU AVR 2K FLASH 3X3 20QFN |
| 产品培训模块： | tinyAVR Introduction |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | AVR® ATtiny |
| 核心处理器： | AVR |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 20MHz |
| 连通性： | I²C，SPI，UART/USART |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 18 |
| 程序存储器容量： | 2KB（1K x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 128 x 8 |
| RAM 容量： | 128 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 20-VFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ATTINY2313A-MMHRDKR |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页当前第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页第162页第163页第164页第165页第166页第167页第168页第169页第170页第171页第172页
110
8246B–AVR–09/11
ATtiny2313A/4313
The following code examples show how to do an atomic write of the TCNT1 Register contents.
Writing any of the OCR1A/B or ICR1 Registers can be done by using the same principle.
Note:
The assembly code example requires that the r17:r16 register pair contains the value to be writ-
ten to TCNT1.
12.10.1
Reusing the Temporary High Byte Register
If writing to more than one 16-bit register where the high byte is the same for all registers written,
then the high byte only needs to be written once. However, note that the same rule of atomic
operation described previously also applies in this case.
Assembly Code Example
TIM16_WriteTCNT
1:
; Save global interrupt flag
in
r18,SREG
; Disable interrupts
cli
; Set TCNT
1 to r17:r16
out
TCNT
1H,r17
out
TCNT
1L,r16
; Restore global interrupt flag
out
SREG,r18
ret
C Code Example
void
TIM16_WriteTCNT
1( unsigned int i )
{
unsigned char
sreg;
unsigned int
i;
/* Save global interrupt flag */
sreg = SREG;
/* Disable interrupts */
__disable_interrupt();
/* Set TCNT
1 to i */
TCNT
1 = i;
/* Restore global interrupt flag */
SREG = sreg;
}
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATTINY26-16MQR | IC MCU AVR 2K 16MHZ IND 32QFN |
| ATTINY26L-8PU | IC MCU AVR 2K 5V 8MHZ 20-DIP |
| ATTINY28V-1AUR | IC MCU AVR 2K 1.2MHZ 1.8V 32TQFP |
| ATTINY4313-MMH | IC MCU AVR 4K FLASH 20QFN |
| ATTINY43U-SUR | MCU AVR 4KB FLASH 8MHZ 20SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATTINY2313A-MU | 功能描述:8位微控制器 -MCU 2K FLASH 128B EE 128B SRAM 1 UART RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ATTINY2313A-MUR | 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 2K FLSH 128B EE 128B SRAM 1UART20MHz RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ATTINY2313A-PU | 功能描述:8位微控制器 -MCU 2K FLASH 128B EE 128B SRAM 1 UART RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ATTINY2313A-SU | 功能描述:8位微控制器 -MCU 2K FLASH 128B EE 128B SRAM 1 UART RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ATTINY2313A-SUR | 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 2K FLSH 128B EE 128B SRAM 1UART20MHz RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。