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参数资料
| 型号： | AUIRFSL3207Z |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 120 A, 75 V, 0.0041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-262, 3 PIN |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 276K |
| 代理商： | AUIRFSL3207Z |
AUIRFS/SL3207Z
4
www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Drain-to-Source Breakdown Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 11. Typical COSS Stored Energy
Fig 9. Maximum Drain Current vs. Case Temperature
Fig 12. Maximum Avalanche Energy vs. DrainCurrent
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
I S
D
,R
ev
er
se
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VGS = 0V
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160180
TJ , Temperature ( °C )
70
75
80
85
90
95
100
V
(B
R
)D
S
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
B
re
ak
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w
n
V
ol
ta
ge
(V
)
Id = 5mA
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
E
ne
rg
y
(μ
J)
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
10000
I D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
100μsec
1msec
10msec
DC
25
50
75
100
125
150
175
TC , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
I D
,
D
ra
in
C
ur
re
nt
(A
)
Limited By Package
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
100
200
300
400
500
600
700
E
A
S
,S
in
gl
e
P
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se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y
(m
J)
ID
TOP
17A
30A
BOTTOM 102A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
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