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参数资料
| 型号： | AUIRFZ44NSTRL |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 49 A, 55 V, 0.0175 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 273K |
| 代理商： | AUIRFZ44NSTRL |
AUIRFZ44NS/L
www.irf.com
7
D.U.T.
VDS
ID
IG
3mA
VGS
.3
μF
50K
Ω
.2
μF
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
RG
IAS
0.01
Ω
tp
D.U.T
L
VDS
+
- VDD
DRIVER
A
15V
20V
tp
V(BR)DSS
IAS
QG
QGS
QGD
VG
Charge
VGS
0
100
200
300
400
500
25
50
75
100
125
150
175
J
E
,
S
in
gle
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y(m
J)
AS
I
TOP
10A
18A
BOTTOM 25A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V
= 25V
D
DD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRFZ44N | 49 A, 55 V, 0.0175 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| AUIRFZ44VZSTRR | 57 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| AUIRFZ44VZS | 57 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| AUIRF44VZSTRL | 57 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| AUIRFZ44ZS | 51 A, 55 V, 0.0139 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRFZ44NSTRR | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 17.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFZ44V | 功能描述:MOSFET 60V, 55A, 16.5mOhm Automotive MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFZ44VZS | 功能描述:MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 12mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFZ44VZSTRL | 功能描述:MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 12mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFZ44VZSTRR | 功能描述:MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 12mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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