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参数资料
| 型号： | AUIRLR3705ZTRR |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 42 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DPAK-3 |
| 文件页数： | 2/13页 |
| 文件大小： | 287K |
| 代理商： | AUIRLR3705ZTRR |
AUIRLR3705Z
10
www.irf.com
D-Pak (TO-252AA) Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
D-Pak Part Marking Information
Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package/
AULR3705Z
YWWA
XX or XX
Date Code
Y= Year
WW= Work Week
A=Automotive,LeadFree
PartNumber
IRLogo
Lot Code
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRLR3705ZTRL | 42 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| AUIRLS3034-7TRL | 240 A, 40 V, 0.0014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263CB |
| AUIRLS3034-7P | 240 A, 40 V, 0.0014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263CB |
| AUIRLS3034-7TRR | 240 A, 40 V, 0.0014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263CB |
| AUIRLS3034TRR | 195 A, 40 V, 0.0017 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRLR3915 | 功能描述:MOSFET 55V, 61A, 14 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR3915TR | 功能描述:MOSFET 55V, 61A, 14 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR3915TRL | 功能描述:MOSFET 55V, 61A, 14 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR3915TRR | 功能描述:MOSFET 55V, 61A, 14 mOhm Auto Lgc Lvl MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLS3034 | 功能描述:MOSFET Auto 40V Sngl N-Ch HEXFET PowerMOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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