您好，欢迎来到买卖IC网登录 | 免费注册

BSC028N03LSC G

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1/1页 40条/页共1条
1

您是不是要找： BSC028N06LS3GATMA1 BSC028N06NS BSC028N06NSATMA1 BSC028N06NSTATMA1 BSC029N025S G BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 BSC030N08NS5ATMA1

BSC028N03LSC G PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

BSC028N03LSC G PDF下载

功能描述
MOSFET N-KANAL POWER MOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

BSC028N03LSC G 技术参数

BSC027N06LS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 49μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:30nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4400pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:83W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.7 毫欧 @ 50A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PG-TDSON-8 封装/外壳:8-PowerTDFN 标准包装:5,000 BSC027N04LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:24A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.7 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 49μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:85nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6800pF @ 20V 功率 - 最大值:83W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC027N03S G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.7 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 90μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:51nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6540pF @ 15V 功率 - 最大值:89W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:5,000 BSC026NE2LS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:24A（Ta），82A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1100pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC026N08NS5ATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 23A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 50A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 115μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:92nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6800pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerTDFN 供应商器件封装:PG-TDSON-8 标准包装:1 BSC030P03NS3 G BSC030P03NS3GAUMA1 BSC031N06NS3GATMA1 BSC032N03S BSC032N03SG BSC032N04LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 BSC034N03LSGATMA1 BSC034N06NSATMA1 BSC035N04LSGATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 BSC037N025S G BSC037N08NS5ATMA1 BSC039N06NS BSC039N06NSATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1