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BSF561A128

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BSF561A128 技术参数
  • BSF450NE7NH3XUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 75V 5A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Ta),15A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):45 毫欧 @ 8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 8μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):390pF @ 37.5V 功率 - 最大值:2.2W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M? 标准包装:5,000 BSF134N10NJ3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:Digi-Key 停止供應 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Ta),40A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 40μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2300pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.2W(Ta),43W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):13.4 毫欧 @ 30A,10V 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M? 封装/外壳:3-WDSON 标准包装:1 BSF134N10NJ3 G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Ta),40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):13.4 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 40μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2300pF @ 50V 功率 - 最大值:43W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M? 标准包装:1 BSF083N03LQ G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta),53A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.3 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1800pF @ 15V 功率 - 最大值:36W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M? 标准包装:5,000 BSF077N06NT3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta),56A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.7 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 33μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3700pF @ 30V 功率 - 最大值:38W 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-WDSON 供应商器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M? 标准包装:1 BSH-020-01-F-D-LC-TR BSH-020-01-H-D-A BSH-020-01-H-D-A-TR BSH-020-01-H-D-LC-TR BSH-020-01-L-D-A BSH-020-01-L-D-A-TR BSH-020-01-L-D-DP-A BSH-020-01-L-D-DP-A-TR BSH-020-01-L-D-EM2 BSH-030-01-C-D BSH-030-01-C-D-A BSH-030-01-C-D-A-K-TR BSH-030-01-C-D-A-TR BSH-030-01-F-D BSH-030-01-F-D-A BSH-030-01-F-D-A-TR BSH-030-01-F-D-EM2 BSH-030-01-F-D-LC
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