参数资料
型号: BA159-E3/73
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 2/3页
文件大小: 0K
描述: DIODE FAST 1A 1000V 500NS DO-41
标准包装: 3,000
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 1000V(1kV)
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.3V @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 500ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 1000V
安装类型: 通孔
封装/外壳: DO-204AL,DO-41,轴向
供应商设备封装: DO-204AL(DO-41)
包装: 带盒(TB)
‘? I BA157, BA158, BA159D, BA1597 Www'V'Shay'C°m Vishay General Semiconductor
ORDE MG INFORMA N (Example)
PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (9) PREFERRED PACKAGE CODE DELIVERY MODE
13“ diameter paper tape and reel
BA158-E3/73 Ammo pack packaging
RATINGS AND cHARAcTERIsTIcs cuRvEs (TA = 25 0C unless otherwise noted)
10 100
:1m
D
:3m
Pulse Width : 300 us1 % Duty cycle
:15
01
Average Fonlvard Current (A)
:1N
instantaneous Forward Current (A)
mm) Lead Lengin
n 0.01
0 25 50 75 100 125 150 175 04 0.6 0.5 10 1.2 1.4 16 1.5 2.0
Ambient Temperature (“Cl Instantaneous FOnNard Voltage (V)Fig. 1 - Forward Current Derating Cun/e Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics
20 100
T4 : 55 ‘C
8.3 ms Single Half Sine—Wave
Lnp 0.01
:1
Ln
0.1
Peak Forward Surge Current (A)
E1‘
instantaneous Reverse Current (uA)
1 10 100
Number 0' Cycles at 60 HZ Percent of Flated Peak Reverse Voltage (%)
Fig. 2 — Maximum Ncn—repetitive Peak Fonivard Surge current Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics
Revision: 24-Jul-13 2 Document Number: 88536
For technical questions within your region: DiodesArnericas@vishay.corn, DiodesAsia@vishay.com, DiQdesEurope@Vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料
PDF描述
BAL74,215 DIODE HI SPEED SW 50V SOT-23
BAS116,235 DIODE SW EPITAXIAL MED-SPD SOT23
BAS116LP3-7 DIODE 85V 215MA 2-XFDFN
BAS116LPH4-7B DIODE 85V 215MA 2-DFN
BAS116LT3G DIODE SWITCH 200MA 75V SOT-23
相关代理商/技术参数
参数描述
BA159G 功能描述:整流器 1.0 Amp 1000 Volt 250ns RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel
BA159G A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:15pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1
BA159G B0G 功能描述:DIODE GEN PURP 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:15pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000
BA159G R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R
BA159G R0G 功能描述:DIODE GEN PURP 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 二极管类型:标准 电流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 时的电压 - 正向(Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr,F 时的电容:15pF @ 4V,1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000