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参数资料
| 型号： | BAS116LT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 51K |
| 描述： | DIODE SWITCH 200MA 75V SOT-23 |
| 产品变化通告： | Copper Wire Change 29/Oct/2009 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 3µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5nA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
?
Semiconductor Components Industries, LLC, 2014
March, 2014 ? Rev. 10
1
Publication Order Number:
BAS116LT1/D
BAS116LT1G
Switching Diode
Features
?
Low Leakage Current Applications
?
Medium Speed Switching Times
?
Available in 8 mm Tape and Reel
Use BAS116LT1G to order the 7 inch/3,000 unit reel
?
S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101
Qualified and PPAP Capable
?
These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Continuous Reverse Voltage
VR
75
Vdc
Peak Forward Current
IF
200
mAdc
Peak Forward Surge Current
IFM(surge)
500
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR?5 Board (Note 1)
TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
225
1.8
mW
mW/°C
Thermal Resistance, Junction?to?Ambient
RJA
556
°C/W
Total Device Dissipation
Alumina Substrate (Note 2) TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
300
2.4
mW
mW/°C
Thermal Resistance, Junction?to?Ambient
RJA
417
°C/W
Junction and Storage Temperature
TJ, Tstg
?55 to
+150
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. FR?5 = 1.0
0.75
0.062 in.
2. Alumina = 0.4
0.3
0.024 in. 99.5% alumina.
3
CATHODE
1
ANODE
http://onsemi.com
Device Package Shipping?
ORDERING INFORMATION
SOT?23 (TO?236)
CASE 318
STYLE 8
MARKING DIAGRAM
1
2
3
JV M
BAS116LT1G
SBAS116LT1G
SOT?23
(Pb?Free)
3000 / Tape & Reel
JV = Specific Device Code
M = Date Code*
= Pb?Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
*Date Code orientation and/or overbar may
vary depending upon manufacturing location.
BAS116LT3G
NSVBAS116LT3G
SOT?23
(Pb?Free)
10000 / Tape &
Reel
?For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BAS116QAZ | 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 电流 - 平均整流（Io）:300mA（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:3μs 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5nA @ 75V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:DFN1010D-3 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 |
| BAS116RF | 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:225mW SMD Switching Diode |
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