| 型号： | BA159-E3/73 |
| 厂商： | Vishay General Semiconductor |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE FAST 1A 1000V 500NS DO-41 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.3V @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 500ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 1000V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装： | DO-204AL（DO-41） |
| 包装： | 带盒（TB） |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BA159G | 功能描述:整流器 1.0 Amp 1000 Volt 250ns RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BA159G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 |
| BA159G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 二极管类型:标准 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,000 |
| BA159G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-41 T/R |
| BA159G R0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.2V @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:250ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:15pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向 供应商器件封装:DO-204AL（DO-41） 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:5,000 |