参数资料
| 型号： | BA33E00WHFP-TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 14/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO 3.3V/ADJ .6A HRP7 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，固定式和可调式 |
| 输出电压： | 3.3V，0.8 V ~ 3.3 V |
| 输入电压： | 2.8 V ~ 16 V |
| 电压 - 压降（标准）： | 0.3V @ 300mA |
| 稳压器数量： | 2 |
| 电流 - 输出： | 600mA（最小值） |
| 工作温度： | -25°C ~ 105°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 7-SMD |
| 供应商设备封装： | HRP7 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BA3259HFP
BA30E00WHFP
Datasheet
抵抗
Resistor
トラン ジ (NP
Transistor スタ (NPN)
(PINB)
Bypass diode
( 端
（ PIN 子 A) ）
端子
（ (PIN B) ）
C
B
E
B
C
Diode for preventing back current flow
GND
E
GND
Ｎ
VCC
Output pin
N
P ＋
N
P
P ＋
N
N
P ＋
N
N
P Ｐ
P ＋
N
Ｎ
(PINA)
Other adjacent elements
P P 基板 ate
P 基板
substr
寄生 素子
Parasitic element
GND
P substrate
G ND
GND
Parasitic element
Parasitic element
Fig.32 Bypass diode
Fig.33 Example of Simple Bipolar IC Architecture
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TSZ22111 ? 15 ? 001
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TSZ02201-0R6R0A600100-1-2
26.Jun.2012 Rev.001
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参数描述 |
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