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参数资料
| 型号： | BAL74,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 123K |
| 描述： | DIODE HI SPEED SW 50V SOT-23 |
| 产品目录绘图： | SOT-23 Circuit |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 50V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 215mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 50V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | TO-236AB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
     2003 Dec 17 3 NXP Semiconductors Product data sheet High-speed diode BAL74 LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). Note 1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board. ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tj = 25 °C unless otherwise specified. THERMAL CHARACTERISTICS Note 1. Device mounted on an FR4 printed-circuit board. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VRRM repetitive peak reverse voltage ? 50 V VR continuous reverse voltage ? 50 V IF continuous forward current see Fig.2; note 1 ? 215 mA IFRM repetitive peak forward current ? 500 mA IFSM non-repetitive peak forward current square wave; Tj = 25 °C prior to surge; see Fig.4 tp = 1 μs ? 4 A tp = 1 ms ? 1 A tp = 1 s ? 0.5 A Ptot total power dissipation Tamb = 25 °C; note 1 ? 250 mW Tstg storage temperature ?65 +150 °C Tj junction temperature ? 150 °C SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MAX. UNIT VF forward voltage see Fig.3 IF = 1 mA 715 mV IF = 10 mA 855 mV IF = 50 mA 1 V IF = 150 mA 1.25 V IR reverse current see Fig.5 VR = 50 V 0.1 μA VR = 50 V; Tj = 150 °C 100 μA Cd diode capacitance f = 1 MHz; VR = 0; see Fig.6 2 pF trr reverse recovery time when switched from IF = 10 mA to IR = 10 mA; RL = 100 ?; measured at IR = 1 mA; see Fig.7 4 ns Vfr forward recovery voltage when switched from IF = 10 mA; tr = 20 ns; see Fig.8 1.75 V SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth(j-tp) thermal resistance from junction to tie-point 330 K/W Rth(j-a) thermal resistance from junction to ambient note 1 500 K/W |
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BAL74E6327 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| BAL74E6327HTSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Switching 50V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF DIODES - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:DIODE SWITCH 50V 0.25A SOT23-3 |
| BAL74E6327T | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Switching 50V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R |
| BAL74TA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAL74TC | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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