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参数资料
| 型号： | BAS116T-7-F |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 76K |
| 描述： | DIODE SWITCH 85V 150MW SOT523 |
| 产品目录绘图： | SOT-523 Top |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 85V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 215mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 3µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5nA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-523 |
| 供应商设备封装： | SOT-523 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1596 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAS116T-FDIDKR |
BAS116T, BAW156T,
BAV170T, BAV199T
Document number: DS30258 Rev. 12 - 2
2 of 3
www.diodes.com
March 2009
? Diodes Incorporated
BAS116T, BAW156T,
BAV170T, BAV199T
0
50
100
0 25 50 75 100 125 150
P
,
P
O
WE
R
DISSI
P
A
T
I
O
N (mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)A
Fig. 1 Power Derating Curve
150
200
250
10
1.0
100
1,000
0.1
0.01
020.4
0.8
1.2 1.6
.0
I, I
N
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
F
O
R
WA
R
D
C
U
R
R
E
N
T
(mA)
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)F
Fig. 2 Typical Forward Characteristics
0.1
1
10
050100
150
200
I,
R
EVE
R
SE
C
U
R
R
E
N
T
(nA)
R
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)A
°
Fig. 3 Typical Reverse Characteristics
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.00
1.40
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
V , AVERAGE FORWARD VOLTAGE (V)F(AVE)
Fig. 4 Typical Forward Voltage vs. Ambient Temperature
Ordering Information
(Note 6)
Part Number
Case
Packaging
BAS116T-7-F
SOT-523
3000/Tape & Reel
BAW156T-7-F
SOT-523
3000/Tape & Reel
BAV170T-7-F
SOT-523
3000/Tape & Reel
BAV199T-7-F
SOT-523
3000/Tape & Reel
Notes: 6. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS116TT1G | DIODE SWITCH 200MA 75V SC75-3 |
| BAS116 | DIODE SWITCH 250MW 85V SOT23-3 |
| BAS16_D87Z | DIODE ULT FAST 85V 200MA SOT23 |
| BAS16HT1G | DIODE 85V 200MA SOD323 |
| BAS16HT3G | DIODE SWITCH 200MA 75V SOD-323 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS116TT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SS SC75 SWCH DIO 75V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS116TW | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT, LOW LEAKAGE SWITCHING DIODES |
| BAS116TW _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BAS116TW_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BAS116UDJ | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE |
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