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参数资料
| 型号： | BAS16HT1 |
| 厂商： | 智威科技股份有限公司 |
| 英文描述： | SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE |
| 中文描述： | 表面贴装开关二极管 |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 29K |
| 代理商： | BAS16HT1 |
BAS 16-03W
Semiconductor Group
Mar-13-1998
2
Electrical Characteristics
at T
A
= 25°C, unless otherwise specified.
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
DC characteristics
Breakdown voltage
I
(BR)
= 100 μA
Forward voltage
I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 150 mA
V
(BR)
75
-
-
V
V
F
-
-
-
-
-
-
-
-
715
855
1000
1250
mV
Reverse current
V
R
= 70 V
Reverse current
V
R
= 25 V,
T
A
= 150 °C
V
R
= 75 V,
T
A
= 150 °C
Forward recovery voltage
I
F
= 10 mA,
t
p
= 20 ns
I
R
-
-
1
μA
I
R
-
-
-
-
30
50
V
fr
-
-
1.75
V
AC characteristics
Diode capacitance
V
R
= 0 V, f= 20 MHz
Reverse recovery time
I
F
= 10 mA, I
R
= 10 mA, R
L
= 100
,
measured at I
R
= 1mA
C
D
-
-
2
pF
t
rr
-
-
6
ns
Test circuit for reverse recovery time
EHN00017
Ι
F
D.U.T.
Oscillograph
Pulse generator: t
p
= 100ns, D= 0.05,
t
r
= 0.6ns, R
i
= 50
Oscillograph: R= 50
, t
r
= 0.35ns,
C
≤
1pF
2
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参数描述 |
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| BAS16HT1_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Switching Diode |
| BAS16HT1D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Switching Diode |
| BAS16HT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 75V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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