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参数资料
| 型号： | BAS17,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 97K |
| 描述： | DIODE STABISTOR 5V 200MA SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 5V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 960mV @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 4V |
| 电容@ Vr, F： | 140pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | TO-236AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-6917-6 |
      2003 Mar 25 2 NXP Semiconductors Product data sheet Low-voltage stabistor BAS17 FEATURES ? Low-voltage stabilization ? Forward voltage range: 580 to 960 mV ? Total power dissipation: max. 250 mW. APPLICATIONS ? Low-voltage stabilization e.g. – Bias stabilizer in class-B output stages – Clipping – Clamping – Meter protection. DESCRIPTION Low-voltage stabilization diode in a small SOT23 plastic package. PINNING PIN DESCRIPTION 1 anode 2 not connected 3 cathode Fig.1 Simplified outline (SOT23), pin configuration and symbol. handbook, halfpage21 3 MAM185 2 n.c. 1 3 MARKING Note 1. ? = p : Made in Hong Kong. ? = t : Made in Malaysia. ? = W : Made in China. TYPE NUMBER MARKING CODE(1) BAS17 ?A9 LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134). SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VR continuous reverse voltage ? 5 V IF continuous forward current ? 200 mA Ptot total power dissipation Tamb = 25 °C ? 250 mW Tstg storage temperature ?65 +150 °C Tj junction temperature ? 150 °C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS19-7-F | DIODE SWITCH 100V 250MW SOT23-3 |
| BAS19W-7-F | DIODE SWITCH 100V 200MW SC70-3 |
| BAS19 | DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23 |
| BAS20HT1 | DIODE SS SW 200V 200MA SOD-323 |
| BAS20LT3G | DIODE SWITCH 200MA 200V SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS17-215 (A91) | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bulk |
| BAS17-AU | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES Fast switching speed |
| BAS18-AU | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES Fast switching speed |
| BAS19 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 120V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS19 /T3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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