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参数资料
| 型号： | BAS17,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 97K |
| 描述： | DIODE STABISTOR 5V 200MA SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 5V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 960mV @ 100mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 4V |
| 电容@ Vr, F： | 140pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | TO-236AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-6917-6 |
    2003 Mar 25 3 NXP Semiconductors Product data sheet Low-voltage stabistor BAS17 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tj = 25 °C unless otherwise specified. THERMAL CHARACTERISTICS Note 1. Device mounted on a FR4 printed-circuit board. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT VF forward voltage see Fig.2 IF = 0.1 mA 580 ? 660 mV IF = 1 mA 665 ? 745 mV IF = 5 mA 725 ? 805 mV IF = 10 mA 750 ? 830 mV IF = 100 mA 870 ? 960 mV IR reverse current VR = 4 V ? ? 5 μA rdif differential resistance IF = 0.5 mA ? 120 ? ? IF = 2 mA ? 80 ? ? SF temperature coefficient IF = 1 mA ? ?1.8 ? mV/K Cd diode capacitance VR = 0 V; f = 1 MHz ? ? 140 pF SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth j-tp thermal resistance from junction to tie-point 330 K/W Rth j-a thermal resistance from junction to ambient note 1 500 K/W |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS19-7-F | DIODE SWITCH 100V 250MW SOT23-3 |
| BAS19W-7-F | DIODE SWITCH 100V 200MW SC70-3 |
| BAS19 | DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23 |
| BAS20HT1 | DIODE SS SW 200V 200MA SOD-323 |
| BAS20LT3G | DIODE SWITCH 200MA 200V SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS17-215 (A91) | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bulk |
| BAS17-AU | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES Fast switching speed |
| BAS18-AU | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES Fast switching speed |
| BAS19 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 120V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS19 /T3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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