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参数资料
| 型号： | BAS19 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 60K |
| 描述： | DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 120V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | * |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | * |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BAS19FSDKR |
BAS19
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
BAS19, Rev. A
BAS19
Small Signal Diode
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
3
1
2
SOT-23
Connection Diagram
3
1
2NC
Absolute Maximum Ratings*
TA
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 120 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current 200 mA
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Pulse Width = 1.0 second
Pulse Width = 1.0 microsecond
1.0
2.0
A
A
Tstg
Storage Temperature Range -55 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature -55 to +150
°C
Thermal Characteristics
Electrical Characteristics
TA
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation 350 mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 357
°C/W
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
VR
Breakdown Voltage
IR = 100 μA
120
V
VF
Forward Voltage I
F = 100 mA
IF = 200 mA
1.0
1.25
V
V
IR
Reverse Current
VR = 100 V
0.1
μA
VR = 100 V, TA = 150°C
100
μA
CT
Total Capacitance
VR = 0, f = 1.0 MHz
5.0 pF
trr
Reverse Recovery Time IF = IR = 30 mA, IRR = 3.0 mA,
50 ns
RL = 100 ?
1
2
3
A8.
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参数描述 |
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| BAS19 T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Switching 120V 0.2A 3-Pin TO-236AB T/R |
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