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参数资料
| 型号： | BAS21_ND87Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 53K |
| 描述： | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 250V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 200V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BAS21
BAS21
General Purpose High Voltage Diode
Sourced from Process 1H. See MMBD1401 for characteristics.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
WIV
Working Inverse Voltage 250 V
IO
Average Rectified Current 200 mA
IF
DC Forward Current 600 mA
if
Recurrent Peak Forward Current 700 mA
if(surge)
Peak Forward Surge Current
Pulse width = 1.0 second
Pulse width = 1.0 microsecond
1.0
2.0
A
A
Tstg
Storage Temperature Range -55 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature 150
°C
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol Characteristic Max Units
BAS21
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25°C
2.8
mW/°C
350
mW
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient 357
°C/W
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation BAS21. Rev. A1
SOT-23
3
1
2
A82.
3
12
2 NC
3
1
CONNECTION DIAGRAM
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PDF描述 |
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参数描述 |
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