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参数资料
型号： BAS21_ND87Z
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 2/3页
文件大小： 53K
描述： DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23
标准包装： 10,000
二极管类型： 标准
电压 - (Vr)（最大）： 250V
电流 - 平均整流 (Io)： 200mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： 1.25V @ 200mA
速度： 小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间(trr)： 50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电： 100nA @ 200V
电容@ Vr, F： 5pF @ 0V，1MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装： SOT-23-3（TO-236）
包装： 带卷 (TR)
BAS21
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
General Purpose High Voltage Diode
(continued)
Symbol Parameter Test Conditions Min Max Units
BV
Breakdown Voltage
IR
= 100
μA
250 V
IR
Reverse Voltage Leakage Current VR
= 200 V
VR
= 200 V, T
A
= 150
°C
100
μA
100
nA
VF
Forward Voltage IF
= 100 mA
IF
= 200 mA
1.0
1.25
V
V
CO
Diode Capacitance VR
= 0, f
= 1.0 MHz 5.0 pF
TRR
Reverse Recovery Time IF
= I
R
= 30 mA, I
RR
= 3.0 mA,
RL
= 100
?
50 nS
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PDF描述
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