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参数资料
| 型号： | BAS21AHT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 132K |
| 描述： | DIODE SWITCH LL 250V SOD-323 |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 产品目录绘图： | Rectifer SOD-323 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 250V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 40nA @ 200V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-76，SOD-323 |
| 供应商设备封装： | SOD-323 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1569 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAS21AHT1GOSDKR |
?
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010
August, 2010 -- Rev. 1
1
Publication Order Number:
BAS21AHT1/D
BAS21AHT1G
Low Leakage
Switching Diode
Features
?
These Devices are Pb--Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
MAXIMUM RATINGS
Symbol
Rating
Value
Unit
VR
Continuous Reverse Voltage
250
Vdc
VRRM
Repetitive Peak Reverse Voltage
250
Vdc
IF
Peak Forward Current
200
mAdc
IFM(surge)
Peak Forward Surge Current
625
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Symbol
Characteristic
Max
Unit
PD
Total Device Dissipation FR--5 Board,
(Note 1) TA
=25?C
Derate above 25?C
200
1.57
mW
mW/?C
RθJA
Thermal Resistance,
Junction--to--Ambient
635
?C/W
TJ,Tstg
Junction and Storage Temperature
Range
--55 to +150
?C
Stresses exceeding Maximum Ratings
may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. FR--5 Minimum Pad
LOW LEAKAGE
SWITCHING DIODE
Device Package Shipping?
ORDERING INFORMATION
SOD--323
CASE 477
STYLE 1
1
CATHODE
2
ANODE
http://onsemi.com
MARKING
DIAGRAM
?For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
BAS21AHT1G SOD--323
(Pb--Free)
3000/Tape & Reel
AA M
G
G
1
2
AA = Device Code
M = Date Code*
G
= Pb--Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
*Date Code orientation may vary depending
upon manufacturing location.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS21H,115 | DIODE SWITCH 200V 200MA SOD123 |
| BAS21HT1 | DIODE SWITCH 200MA 250V SOD323 |
| BAS21J,115 | DIODE HIGH SPEED SWITCHING SC-90 |
| BAS21M3T5G | IC DIODE HS SWITCH 250V SOT-723 |
| BAS21T-7-F | DIODE SWITCH 200V 150MW SOT523 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS21AHT1G_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Low Leakage Switching Diode |
| BAS21ARF | 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:225mW SMD Switching Diode |
| BAS21ARFG | 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:225mW SMD Switching Diode |
| BAS21AT | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 200mA 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS21A-TP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 200mA 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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