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参数资料
| 型号： | BAS21AHT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 132K |
| 描述： | DIODE SWITCH LL 250V SOD-323 |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 产品目录绘图： | Rectifer SOD-323 |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 250V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 40nA @ 200V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-76，SOD-323 |
| 供应商设备封装： | SOD-323 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1569 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAS21AHT1GOSDKR |
BAS21AHT1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA
=25?C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Voltage Leakage Current
(VR
= 200 Vdc)
(VR
= 200 Vdc, TJ
= 150?C)
IR
--
--
--
--
40
100
nAdc
mAdc
Reverse Breakdown Voltage
(IBR
= 100
mAdc)
V(BR)
250
--
--
Vdc
Forward Voltage
(IF
= 100 mAdc)
(IF
= 200 mAdc)
VF
--
--
--
--
1000
1250
mV
Diode Capacitance
(VR
=0,f=1.0MHz)
CD
--
--
5.0
pF
Reverse Recovery Time
(IF
=IR
=30mAdc,RL
= 100
Ω)
trr
--
50
--
ns
Notes: 1. A 2.0 kΩ
variable resistor adjusted for a Forward Current (IF)of30mA.
Notes:
2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 30 mA.
Notes:
3. tp
?trr
+10 V
2.0 k
820
Ω
0.1
mF
D.U.T.
VR
100
mH
0.1
mF
50
Ω
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
Ω
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
=3.0mA
OUTPUT PULSE
(IF
=IR
= 30 mA; MEASURED
at iR(REC)
=3.0mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
Figure 2. Forward Voltage Figure 3. Reverse Leakage
FORWARD CURRENT (mA)
7000
REVERSE CURRENT (nA)
REVERSE VOLTAGE (V)
5000
3000
5
0
2
1
6000
4000
6
5 10 20 50 100 200
300
1
2
3
4
TA
=--55?C
TA
= 155?C
TA
=25?C
TA=--55?C
1 10 100 1000
1
200
400
600
800
1000
1200
FORWARD VOLTAGE (mV)
155?C
25?C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS21H,115 | DIODE SWITCH 200V 200MA SOD123 |
| BAS21HT1 | DIODE SWITCH 200MA 250V SOD323 |
| BAS21J,115 | DIODE HIGH SPEED SWITCHING SC-90 |
| BAS21M3T5G | IC DIODE HS SWITCH 250V SOT-723 |
| BAS21T-7-F | DIODE SWITCH 200V 150MW SOT523 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS21AHT1G_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Low Leakage Switching Diode |
| BAS21ARF | 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:225mW SMD Switching Diode |
| BAS21ARFG | 制造商:TSC 制造商全称:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:225mW SMD Switching Diode |
| BAS21AT | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 200mA 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS21A-TP | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 200mA 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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