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参数资料
| 型号： | BAS20 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 157K |
| 描述： | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 50V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
 B A S 2 0 — G e n e r a l P u r p o s e H i g h V o l t a g e D i o d e ? 2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com BAS20 Rev. 1.0.0 1 April 2008 BAS20 General Purpose High Voltage Diode Absolute Maximum Ratings * TA = 25°C unless otherwise noted * These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired. NOTES: 1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C. 2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations. Thermal Characteristics Electrical Characteristics TA=25°C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VRRM Maximum Repetitive Reverse Voltage 200 V IF(AV) Average Rectified Forward Current 200 mA IFSM Non-repetitive Peak Forward Surge Current Pulse Width = 1.0 second Pulse Width = 1.0 microsecond 1.0 2.0 A A TSTG Storage Temperature Range -55 to +150 °C TJ Operating Junction Temperature -55 to +150 °C Symbol Parameter Value Units PD Power Dissipation 350 mW RqJA Thermal Resistance, Junction to Ambient 357 °C/W Symbol Parameter Test Conditions Min. Max. Units VR Breakdown Voltage IR = 100mA 200 V VF Forward Voltage IF = 100mA IF = 200mA 1.0 1.25 V V IR Reverse Leakage VR =50V VR =50V, TA = 150°C 100 100 nA mA CT Total Capacitance VR = 0V, f = 1.0MHz 5 pF trr Reverse Recovery Time IF = IR =30mA, IRR = 3.0mA, RL = 100W 50 ns Connection Diagram 1 2 3 A81. 1 2 3 SOT-23 1 3 MARKING 2.NC |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS20 /T3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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| BAS20 T/R | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS20,215 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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