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参数资料
| 型号： | BAS19LT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 66K |
| 描述： | DIODE SWITCH 200MA 120V SOT23 |
| 产品目录绘图： | Rectifier SOT-23, SOT-23S |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 120V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 100V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1569 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAS19LT1GOSDKR |
BAS19L, BAS20L, BAS21L, BAS21DW5
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS (SOT?23)
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR?5 Board
(Note 2)
TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
225
1.8
mW
mW/°C
Thermal Resistance
Junction?to?Ambient (SOT?23)
RJA
556
°C/W
Total Device Dissipation Alumina Substrate
(Note 3)
TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
300
2.4
mW
mW/°C
Thermal Resistance Junction?to?Ambient
RJA
417
°C/W
Junction and Storage
Temperature Range
TJ, Tstg
?55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS (SC?88A)
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Power Dissipation (Note 4)
PD
385
mW
Thermal Resistance ?
Junction?to?Ambient
Derate Above 25°C
RJA
328
3.0
°C/W
mW/°C
Maximum Junction Temperature
TJmax
150
°C
Operating Junction and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
?55 to +150
°C
2. FR?5 = 1.0
0.75
0.062 in.
3. Alumina = 0.4
0.3
0.024 in. 99.5% alumina.
4. Mounted on FR?5 Board = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Reverse Voltage Leakage Current
(VR
= 100 Vdc) BAS19
(VR
= 150 Vdc) BAS20
(VR
= 200 Vdc) BAS21
(VR
= 100 Vdc, T
J
= 150
°C) BAS19
(VR
= 150 Vdc, T
J
= 150
°C) BAS20
(VR
= 200 Vdc, T
J
= 150
°C) BAS21
IR
?
?
?
?
?
?
0.1
0.1
0.1
100
100
100
Adc
Reverse Breakdown Voltage
(IBR
= 100
Adc) BAS19
(IBR
= 100
Adc) BAS20
(IBR
= 100
Adc) BAS21
V(BR)
120
200
250
?
?
?
Vdc
Forward Voltage
(IF
= 100 mAdc)
(IF
= 200 mAdc)
VF
?
?
1.0
1.25
Vdc
Diode Capacitance (VR
= 0, f = 1.0 MHz)
CD
?
5.0
pF
Reverse Recovery Time (IF
= I
R
= 30 mAdc, I
R(REC)
= 3.0 mAdc, R
L
= 100)
trr
?
50
ns
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| BAS19LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SWITCH DIODE, 120V, 200mA, SOT-23 |
| BAS19LT1G_09 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Diode |
| BAS19LT3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 120V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS19LT3G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 120V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS19-T | 功能描述:整流器 200mA 120V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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