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参数资料
| 型号： | BAS19LT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 66K |
| 描述： | DIODE SWITCH 200MA 120V SOT23 |
| 产品目录绘图： | Rectifier SOT-23, SOT-23S |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 120V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 100V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1569 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAS19LT1GOSDKR |
BAS19L, BAS20L, BAS21L, BAS21DW5
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
SOT?23 (TO?236)
CASE 318?08
ISSUE AP
D
A1
3
12
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD FINISH
THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS IS THE MINIMUM
THICKNESS OF BASE MATERIAL.
4. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD FLASH,
PROTRUSIONS, OR GATE BURRS.
SCALE 10:1
mm
inches
0.8
0.031
0.9
0.035
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
SOLDERING FOOTPRINT*
VIEW C
L
0.25
L1
e
E
HE
b
A
SEE VIEW C
DIM
A
MIN NOM MAX MIN
MILLIMETERS
0.89 1.00 1.11 0.035
INCHES
A1
0.01 0.06 0.10 0.001
b
0.37 0.44 0.50 0.015
c
0.09 0.13 0.18 0.003
D
2.80 2.90 3.04 0.110
E
1.20 1.30 1.40 0.047
e
1.78 1.90 2.04 0.070
L
0.10 0.20 0.30 0.004
0.040 0.044
0.002 0.004
0.018 0.020
0.005 0.007
0.114 0.120
0.051 0.055
0.075 0.081
0.008 0.012
NOM MAX
L1
2.10 2.40 2.64 0.083
0.094 0.104
HE
0.35 0.54 0.69 0.014 0.021 0.029
c
0 ??? 10 0°
°
°
??? 10°
STYLE 8:
PIN 1. ANODE
2. NO CONNECTION
3. CATHODE
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RAC05-24SA-ST | CONV AC/DC 90-264VAC 24V 200MA |
| TAP686K016CRS | CAP TANT 68UF 16V 10% RADIAL |
| EMM06DSEI | CONN EDGECARD 12POS .156 EYELET |
| HMC36DRTI-S734 | CONN EDGECARD 72POS DIP .100 SLD |
| EPF10K30EQC208-3N | IC FLEX 10KE FPGA 30K 208-PQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS19LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SWITCH DIODE, 120V, 200mA, SOT-23 |
| BAS19LT1G_09 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Diode |
| BAS19LT3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 120V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS19LT3G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 120V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS19-T | 功能描述:整流器 200mA 120V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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