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参数资料
| 型号： | BAS19LT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 66K |
| 描述： | DIODE SWITCH 200MA 120V SOT23 |
| 产品目录绘图： | Rectifier SOT-23, SOT-23S |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 120V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 100V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1569 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAS19LT1GOSDKR |
BAS19L, BAS20L, BAS21L, BAS21DW5
http://onsemi.com
3
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 30 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 30 mA.
Notes: 3. tp
? t
rr
+10 V
2.0 k
820
0.1 F
D.U.T.
VR
100 H
0.1 F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
IR(REC)
= 3.0 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 30 mA; MEASURED
at IR(REC)
= 3.0 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
10
150°C
20
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
1.0
0.1
0.01
0.001
50 80 110 140
170
1.6
0.40
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
1.4
1.0
0.6
C
D
, DIODE CAPACITANCE (pF)
1357246 8
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 2. VF
vs. I
F
Figure 3. IR
vs. V
R
Figure 4. Capacitance
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
1.0
10
100
85°C
55°C
150°C
125°C
25°C
-55°C
200 230
0.8
1.2
Cap
-40°C
260
125°C
85°C
55°C
25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RAC05-24SA-ST | CONV AC/DC 90-264VAC 24V 200MA |
| TAP686K016CRS | CAP TANT 68UF 16V 10% RADIAL |
| EMM06DSEI | CONN EDGECARD 12POS .156 EYELET |
| HMC36DRTI-S734 | CONN EDGECARD 72POS DIP .100 SLD |
| EPF10K30EQC208-3N | IC FLEX 10KE FPGA 30K 208-PQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS19LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SWITCH DIODE, 120V, 200mA, SOT-23 |
| BAS19LT1G_09 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Diode |
| BAS19LT3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 120V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS19LT3G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 120V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS19-T | 功能描述:整流器 200mA 120V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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