- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录22040 > BAS21HT1G (ON Semiconductor)DIODE SWITCH 200MA 250V SOD323 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BAS21HT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 88K |
| 描述： | DIODE SWITCH 200MA 250V SOD323 |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 产品目录绘图： | Rectifer SOD-323 |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 250V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 200V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-76，SOD-323 |
| 供应商设备封装： | SOD-323 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1569 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAS21HT1GOSDKR |
BAS21HT1G, NSVBAS21HT1G, NSVBAS21HT3G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Voltage Leakage Current
(VR
= 200 Vdc)
(VR
= 200 Vdc, T
J
= 150
°C)
IR
?
?
0.1
100
Adc
Reverse Breakdown Voltage
(IBR
= 100
Adc)
V(BR)
250
?
Vdc
Forward Voltage
(IF
= 100 mAdc)
(IF
= 200 mAdc)
VF
?
?
1000
1250
mV
Diode Capacitance
(VR
= 0, f = 1.0 MHz)
CD
?
5.0
pF
Reverse Recovery Time
(IF
= I
R
= 30 mAdc, R
L
= 100
)
trr
?
50
ns
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 30 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 30 mA.
Notes: 3. tp
? t
rr
+10 V
2.0 k
820
0.1 F
D.U.T.
VR
100 H
0.1 F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
= 3.0 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 30 mA; MEASURED
at iR(REC)
= 3.0 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TAJD336M016HNJ | CAP TANT 33UF 16V 20% 2917 |
| 449862-2 | CONN D-SUB RCPT 26POS CRIMP HD |
| MMSD103T1G | DIODE SWITCHING 250V SOD-123 |
| ADM1032ARM-1 | IC TEMP MONITOR 108 DEF 8-MSOP |
| 449862-1 | CONN D-SUB RCPT 15POS CRIMP HD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS21HT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode |
| BAS21HT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Diode |
| BAS21J | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SWITCH 300V 0.25A SOD323F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SWITCH, 300V, 0.25A, SOD323F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SWITCH, 300V, 0.25A, SOD323F; Diode Type:Fast Recovery; Forward Current If(AV):250mA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:300V; Forward Voltage VF Max:1.1V; Reverse Recovery Time trr Max:50ns; Forward Surge Current Ifsm Max:3A;RoHS Compliant: Yes |
| BAS21J T/R | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SNGL SWITCHING DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS21J,115 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SNGL SWITCHING DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。