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参数资料
| 型号： | BAS21HT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 88K |
| 描述： | DIODE SWITCH 200MA 250V SOD323 |
| 产品变化通告： | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 产品目录绘图： | Rectifer SOD-323 |
| 标准包装： | 10 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 250V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 200V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-76，SOD-323 |
| 供应商设备封装： | SOD-323 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1569 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAS21HT1GOSDKR |
BAS21HT1G, NSVBAS21HT1G, NSVBAS21HT3G
http://onsemi.com
3
Figure 2. Forward Voltage Figure 3. Reverse Leakage
FORWARD CURRENT (mA)
7000
REVERSE CURRENT (nA)
REVERSE VOLTAGE (V)
5000
3000
5
0
2
1
6000
4000
6
5 10 20 50 100 200
300
1
2
3
4
TA
=
?55°C
TA
= 155
°C
TA
= 25
°C
TA
=
?55°C
1 10 100 1000
1
200
400
600
800
1000
1200
FORWARD VOLTAGE (mV)
155°C
25°C
Figure 4. Diode Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
6
5
4
3
2
1
0.3
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
C
d
, DIODE CAPACITANCE (pF)
8
7
Figure 5. Maximum Non?repetitive Peak
Forward Current as a Function of Pulse
Duration, Typical Values
Tp
(mSec)
1
0.1
0.01
0
0.001
5
10
15
20
25
I
FSM
(A)
10
Based on square wave currents
TJ
= 25
°C prior to surge
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TAJD336M016HNJ | CAP TANT 33UF 16V 20% 2917 |
| 449862-2 | CONN D-SUB RCPT 26POS CRIMP HD |
| MMSD103T1G | DIODE SWITCHING 250V SOD-123 |
| ADM1032ARM-1 | IC TEMP MONITOR 108 DEF 8-MSOP |
| 449862-1 | CONN D-SUB RCPT 15POS CRIMP HD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS21HT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode |
| BAS21HT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Diode |
| BAS21J | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SWITCH 300V 0.25A SOD323F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SWITCH, 300V, 0.25A, SOD323F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SWITCH, 300V, 0.25A, SOD323F; Diode Type:Fast Recovery; Forward Current If(AV):250mA; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:300V; Forward Voltage VF Max:1.1V; Reverse Recovery Time trr Max:50ns; Forward Surge Current Ifsm Max:3A;RoHS Compliant: Yes |
| BAS21J T/R | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SNGL SWITCHING DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS21J,115 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 SNGL SWITCHING DIODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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