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参数资料
| 型号： | BAS21J,115 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 60K |
| 描述： | DIODE HIGH SPEED SWITCHING SC-90 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 300V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 250mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 100mA |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 150nA @ 250V |
| 电容@ Vr, F： | 2pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-90，SOD-323F |
| 供应商设备封装： | SOD-323F |
| 包装： | 带卷 (TR) |
 BAS21J_1 ? NXP B.V. 2007. All rights reserved. Product data sheet Rev. 01 — 8 March 2007 6 of 10 NXP Semiconductors BAS21J Single high-speed switching diode 8. Test information (1) IR =1mA Input signal: reverse pulse rise time tr = 0.6 ns; reverse voltage pulse duration tp = 100 ns; duty cycle δ = 0.05 Oscilloscope: rise time tr = 0.35 ns Fig 5. Reverse recovery time test circuit and waveforms trr (1) + I F t output signal tr tp t 10 % 90 % VR input signal V = VR + IF ′ RS RS = 50 W IF D.U.T. Ri = 50 W SAMPLING OSCILLOSCOPE mga881 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS21M3T5G | IC DIODE HS SWITCH 250V SOT-723 |
| BAS21T-7-F | DIODE SWITCH 200V 150MW SOT523 |
| BAS29_D87Z | DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23 |
| BAS40-7-F | DIODE SCHOTTKY 40V 350MW SOT23-3 |
| BAS40LP-7 | DIODE SCHOTTKY 40V 2-DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS21JF | 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 250MA SC90 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:300V 电流 - 平均整流（Io）:250mA（DC） 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1.1V @ 100mA 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 250V 不同?Vr，F 时的电容:2pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-90，SOD-323F 供应商器件封装:SC-90 工作温度 - 结:150°C（最大） 标准包装:10,000 |
| BAS21L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Diode |
| BAS21L-AE3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全称:UTC-IC 功能描述:GENERAL PURPOSE DIODES |
| BAS21LT1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 250V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS21LT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 250V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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