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参数资料
| 型号： | BAS21SLT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 93K |
| 描述： | DIODE SWITCH DUAL 250V SOT23 |
| 产品目录绘图： | Rectifier SOT-23, SOT-23S |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 225mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 250V |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对串联 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1569 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | BAS21SLT1GOSDKR |
BAS21SLT1G, NSVBAS21SLT1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Voltage Leakage Current
(VR
= 200 Vdc)
(VR
= 200 Vdc, T
J
= 150
°C)
IR
?
?
0.1
100
Adc
Reverse Breakdown Voltage
(IBR
= 100
Adc)
V(BR)
250
?
Vdc
Forward Voltage
(IF
= 100 mAdc)
(IF
= 200 mAdc)
VF
?
?
1000
1250
mV
Diode Capacitance
(VR
= 0, f = 1.0 MHz)
CD
?
5.0
pF
Reverse Recovery Time
(IF
= I
R
= 30 mAdc, R
L
= 100
)
trr
?
50
ns
Notes: 1. A 2.0 k
variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F) of 30 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak)
is equal to 30 mA.
Notes: 3. tp
? t
rr
+10 V
2.0 k
820
0.1 F
D.U.T.
VR
100 H
0.1 F
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
tr
tp
t
10%
90%
IF
IR
trr
t
iR(REC)
= 3.0 mA
OUTPUT PULSE
(IF
= I
R
= 30 mA; MEASURED
at iR(REC)
= 3.0 mA)
IF
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
Figure 2. Forward Voltage Figure 3. Reverse Leakage
7000
REVERSE VOLTAGE (V)
5000
3000
5
0
2
1
6000
4000
6
5 10 20 50 100 200
300
1
2
3
4
TA
= 155
°C
TA
= 25
°C
TA
=
?55°C
REVERSE CURRENT (nA)
FORWARD CURRENT (mA)
TA
=
?55°C
1 10 100 1000
1
200
400
600
800
1000
1200
FORWARD VOLTAGE (mV)
155°C
25°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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