参数资料
型号: BAS28,215
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 6/12页
文件大小: 256K
描述: DIODE SW 75V 215MA HS SOT143B
产品目录绘图: SOT-143B Pin Out
SOT-143B Circuit
标准包装: 3,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 150mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1µA @ 75V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 215mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 75V
反向恢复时间(trr): 4ns
二极管类型: 标准
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
二极管配置: 2 个独立式
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-253-4,TO-253AA
供应商设备封装: SOT-143B
包装: 带卷 (TR)
BAS28 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 3 — 22 July 2010 3 of 12
NXP Semiconductors
BAS28
High-speed double diode
5. Limiting values
[1] Device mounted on an FR4 PCB.
[2] One diode loaded.
[3] Tj
=25°C prior to surge.
6. Thermal characteristics
[1] Device mounted on an FR4 PCB.
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
VRRM
repetitive peak
reverse voltage
-85V
VR
reverse voltage - 75 V
IF
forward current
[1]
-215mA
IFRM
repetitive peak
forward current
-500mA
IFSM
non-repetitive peak
forward current
square wave
[3]
tp
=1μs-4A
tp
=1ms - 1 A
tp
=1s - 0.5 A
Per device
Ptot
total power dissipation Tamb
=25°C
[1][2]
-250mW
Tj
junction temperature - 150
°C
Tstg
storage temperature
?65 +150
°C
Table 6. Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per device; one diode loaded
Rth(j-a)
thermal resistance from
junction to ambient
in free air
[1]
- - 500 K/W
Rth(j-t)
thermal resistance from
junction to tie-point
- - 360 K/W
相关PDF资料
PDF描述
BAS31 DIODE SS 120V 200MA SOT23
BAS35 DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT-23
BAS40-04LT1G DIODE SCHOTTKY DUAL 40V SOT23
BAS40-06LT1G DIODE SCHOTTKY 40V CA SOT23
BAS40BRW-7 DIODE SCHOTTKY ARRAY 40V SC70-6
相关代理商/技术参数
参数描述
BAS28235 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BAS282-GS08 功能描述:肖特基二极管与整流器 50 Volt 30mA 500mA IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
BAS282-GS18 功能描述:肖特基二极管与整流器 50 Volt 30mA 500mA IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
BAS283 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Barrier Diodes
BAS283-GS08 功能描述:肖特基二极管与整流器 60 Volt 30mA 500mA IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel