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参数资料
| 型号： | BAS28,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 256K |
| 描述： | DIODE SW 75V 215MA HS SOT143B |
| 产品目录绘图： | SOT-143B Pin Out SOT-143B Circuit |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 75V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 215mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 75V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-253-4，TO-253AA |
| 供应商设备封装： | SOT-143B |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BAS28 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 3 — 22 July 2010 4 of 12
NXP Semiconductors
BAS28
High-speed double diode
7. Characteristics
[1] When switched from IF
= 10 mA to IR
=10mA; RL
= 100
Ω; measured at IR
=1mA.
[2] When switched from IF
=10mA; tr
=20ns.
Table 7. Characteristics
Tamb
=25°C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
VF
forward voltage IF
= 1 mA - - 715 mV
IF
= 10 mA - - 855 mV
IF
=50mA --1V
IF
=150mA --1.25V
IR
reverse current VR
=25V --30nA
VR
=75V --1μA
VR=25V; Tj
=150°C --30μA
VR=75V; Tj
=150°C --50μA
Cd
diode capacitance f = 1 MHz; VR
=0V --1.5pF
trr
reverse recovery time
[1]
--4ns
VFR
forward recovery voltage
[2]
--1.75V
(1) Tj
= 150
°C; typical values
(2) Tj
=25°C; typical values
(3) Tj
=25°C; maximum values
Based on square wave currents.
Tj
=25°C; prior to surge
Fig 1. Forward current as a function of forward
voltage
Fig 2. Non-repetitive peak forward current as a
function of pulse duration; maximum values
0
10?1
021
VF
(V)
11010 102
103
4
300
IF
)
(mA
100
200
mbg382
(1)
(2) (3)
mbg704
10
1
102
IFSM
(A)
tp
(
μs)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS31 | DIODE SS 120V 200MA SOT23 |
| BAS35 | DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT-23 |
| BAS40-04LT1G | DIODE SCHOTTKY DUAL 40V SOT23 |
| BAS40-06LT1G | DIODE SCHOTTKY 40V CA SOT23 |
| BAS40BRW-7 | DIODE SCHOTTKY ARRAY 40V SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS28235 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BAS282-GS08 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 50 Volt 30mA 500mA IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| BAS282-GS18 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 50 Volt 30mA 500mA IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| BAS283 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Schottky Barrier Diodes |
| BAS283-GS08 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 60 Volt 30mA 500mA IFSM RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
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